英飛凌科技公司n通道OptiMOS?功率mosfet

英飛凌n通道OptiMOS?功率mosfet是一流的功率mosfet，提供最高的功率密度和節(jié)能解決方案。超低的柵極和輸出電荷，以及在小占地面積的封裝中最低的通電電阻，是服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中要求苛刻的穩(wěn)壓器解決方案的理想選擇。超高速開關(guān)控制fet，加上低EMI同步fet，提供了易于設(shè)計的解決方案。英飛凌n通道OptiMOS?功率mosfet提供優(yōu)異的柵電荷，并為DC-DC轉(zhuǎn)換進(jìn)行優(yōu)化。

OptiMOS?產(chǎn)品以高性能包的形式提供，可以解決最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用程序，在優(yōu)化空間、效率和成本方面具有充分的靈活性。OptiMOS?產(chǎn)品旨在滿足并超過計算應(yīng)用中銳化的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能源效率和功率密度要求。

參數(shù)

Mouser編號：726-BSC600N25NS3GXT

制造商編號：BSC600N25NS3G

制造商：Infineon Technologies

說明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 25 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V  

Qg-柵極電荷: 29 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 125 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: OptiMOS  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): Infineon Technologies  

配置: Single  

下降時間: 8 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 25 S  

高度: 1.27 mm  

長度: 5.9 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 10 ns  

系列: OptiMOS 3  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor  

典型關(guān)閉延遲時間: 22 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

寬度: 5.15 mm  

零件號別名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1  

單位重量: 100 mg 

特性

• 優(yōu)化的SyncFET用于高性能降壓轉(zhuǎn)換器

• 100%雪崩測試

• n溝道

• 極低通電阻RDS(on) @ VGS=4.5V

• 對于給定RDS(on)的超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss)

• 符合JEDEC要求的目標(biāo)應(yīng)用

• 優(yōu)越的耐熱性

• Pb-free電鍍;通過無鉛認(rèn)證

• 不含鹵素，符合IEC61249-2-21

應(yīng)用

• 服務(wù)器的板載電源

• 用于高性能計算的電源管理

• 同步整流

• 負(fù)載變流器的高功率密度點

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