英飛凌科技公司n通道OptiMOS?功率mosfet
英飛凌n通道OptiMOS?功率mosfet是一流的功率mosfet，提供最高的功率密度和節(jié)能解決方案。超低的柵極和輸出電荷，以及在小占地面積的封裝中最低的通電電阻，是服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中要求苛刻的穩(wěn)壓器解決方案的理想選擇。超高速開關(guān)控制fet，加上低EMI同步fet，提供了易于設(shè)計(jì)的解決方案。英飛凌n通道OptiMOS?功率mosfet提供優(yōu)異的柵電荷，并為DC-DC轉(zhuǎn)換進(jìn)行優(yōu)化。
OptiMOS?產(chǎn)品以高性能包的形式提供，可以解決最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用程序，在優(yōu)化空間、效率和成本方面具有充分的靈活性。OptiMOS?產(chǎn)品旨在滿足并超過(guò)計(jì)算應(yīng)用中銳化的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能源效率和功率密度要求。
參數(shù)
Mouser編號(hào)：726-BSC600N25NS3GXT
制造商編號(hào)：BSC600N25NS3G
制造商：Infineon Technologies
說(shuō)明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 25 S
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
寬度: 5.15 mm
零件號(hào)別名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1
單位重量: 100 mg
特性
優(yōu)化的SyncFET用于高性能降壓轉(zhuǎn)換器
100%雪崩測(cè)試
n溝道
極低通電阻RDS(on) @ VGS=4.5V
對(duì)于給定RDS(on)的超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss)
符合JEDEC要求的目標(biāo)應(yīng)用
優(yōu)越的耐熱性
Pb-free電鍍;通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證
不含鹵素，符合IEC61249-2-21
應(yīng)用
服務(wù)器的板載電源
用于高性能計(jì)算的電源管理
同步整流
負(fù)載變流器的高功率密度點(diǎn)
