國(guó)際整流器公司的第五代HEXFETs利用先進(jìn)的處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)勢(shì)，再加上六方場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率MOSFET眾所周知的快速開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)極其高效和可靠的器件，可用于各種應(yīng)用。

該SOIC-8已被修改通過(guò)一個(gè)定制的引線框架，增強(qiáng)熱特性和多芯片能力，使其在各種電源應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)這些改進(jìn)，可以在一個(gè)應(yīng)用中使用多個(gè)器件，同時(shí)大幅減少電路板空間。該軟件包是專為氣相，紅外線，或波峰焊接技術(shù)。

Mouser編號(hào)：942-IRF7319TRPBF

制造商編號(hào)：IRF7319TRPBF

制造商：Infineon / IR

說(shuō)明：MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: SOIC-8  

晶體管極性: N-Channel, P-Channel  

通道數(shù)量: 2 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 6.5 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 46 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V  

Qg-柵極電荷: 22 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2 W  

通道模式: Enhancement  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): Infineon / IR  

配置: Dual  

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

子類(lèi)別: MOSFETs  

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

零件號(hào)別名: IRF7319TRPBF SP001563414  

單位重量: 540 mg 

特性：

第五代技術(shù)

超低導(dǎo)通電阻

雙N和P溝道MOSFET

表面貼裝

完全雪崩額定

無(wú)鉛