單通道負荷開關采用低漏電P溝道MOSFET來實現(xiàn)最小的功率損耗。高級門控設計支持低至1V的工作電壓，且增加的導通電阻和功率損耗極小?？梢允褂猛獠拷M件獨立調(diào)節(jié)上升和下降時間，以實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)化?？赏ㄟ^調(diào)節(jié)計時電容器 (CT) 和開通時間來管理浪涌電流，且不會增加不必要的系統(tǒng)延遲。輸出放電電阻 (QOD) 可用來調(diào)節(jié)輸出下降時間。將QOD引腳直接連接到輸出端可獲得最快的下降時間，或使其保持開路以獲得最慢的下降時間。
開關導通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號直接連接。首次加電時，此器件使用智能下拉電阻來保持ON引腳不懸空，直到系統(tǒng)定序完成。一旦將ON引腳刻意驅動為高電平 (≥VIH)，智能下拉電阻(RPD) 便會斷開以防止不必要的功率損耗。